Определение параметров p-n перехода

Файл : fom.doc (размер : 196,608 байт)

«МАТИ»-РГТУ

им. К. Э. Циолковского

тема: «Определение параметров p-n перехода»

Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx

xxxxxxxxxxxxxxxx"

Курсовая работа

студент Хxxxxxxx X. X. группа XX-X-XX

дата сдачи

оценка

г. Москва 2001 год

Оглавление:

1. Исходные данные

3

2. Анализ исходных данных

3

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

3

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны

3

б) собственная концентрация

3

в) положение уровня Ферми

3

г) концентрации основных и неосновных носителей заряда

4

д) удельные электропроводности p- и n- областей

4

е) коэффициенты диффузий электронов и дырок

4

ж) диффузионные длины электронов и дырок

4

4. Расчет параметров p-n перехода

4

a) величина равновесного потенциального барьера

4

б) контактная разность потенциалов

4

в) ширина ОПЗ

5

г) барьерная ёмкость при нулевом смещении

5

д) тепловой обратный ток перехода

5

е) график ВФХ

5

ж) график ВАХ

6, 7

5. Вывод

7

6. Литература

8

1. Исходные данные

1) материал полупроводника – GaAs

2) тип p-n переход – резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () – 1пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1мм2

6) физические свойства полупроводника

Ширина запрещенной зоны, эВ

Подвижность при 300К, м2/В(с

Эффективная масса

Время жизни носителей заряда, с

Относительная диэлектрическая проницаемость

электронов

Дырок

электрона mn/me

дырки mp/me

1,42-8

0,85-8

0,04-8

0,067-8

0,082-8

10-8

13,1-8

2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующих примесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3

3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4. – ширина запрещенной зоны

5. , – подвижность электронов и дырок

6. , – эффективная масса электрона и дырки

7. – время жизни носителей заряда

8. – относительная диэлектрическая проницаемость

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны