Ремонт и обслуживание СВЧ печей

При установке транзисторов и микросхем на радиаторы контактные поверхности должны быть чистыми, без шероховатостей, мешающих их плотному прилеганию. Контактные поверхности необходимо смазать теплопроводящей пастой КПТ-8.

При эксплуатации микросхем и транзисторов необходимо строго соблюдать полярности питающих напряжений.

Диоды применяют для выпрямления переменных токов, детектирования модулированных колебаний, ограничения амплитуд сигналов, обеспечения температурной компенсации положения рабочей точки (режима работы) транзисторов, для развязки в логических цепях.

Неисправности ПП диодов можно выявить визуально или с помощью омметра.

При проверке омметром в прямом включении сопротивление перехода должно быть менее десятков Ом, при обратном включении – более сотни Ом. Если проводить контроль работоспособности диода в работе, то при измерении падения напряжения должен быть следующий результат:

у германиевых……………U=(0.3….0.4)В.

у кремниевых…….……….U=(0.6….0.7)В.

Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения. По сути это ПП диод, напряжение на котором в области электрического пробоя при обратном смещении слабо зависит от тока в заданном диапазоне.

Контроль стабилитронов смещенных в прямом направлении осуществляется путем проверки сопротивления, так же как и у диодов.

При контроле стабилитронов без выпаивания измеряется напряжение между анодом и катодом, которое должно быть равным напряжению стабилизации стабилитрона. Если напряжение равно нулю, то стабилитрон короткозамкнут (пробит), если же напряжение значительно больше, чем напряжение стабилизации, то в стабилитроне имеется обрыв.

Транзисторы являются активными (усилительными) приборами. Используются для усиления, детектирования, генерирования, преобразования электрических сигналов, а также для ограничения амплитуд и в схемах переключения и т.д.

Причинами неисправностей транзисторов могут быть обрывы выводов; межэлектродные замыкания; перегрев и разрушение переходов; возрастание обратного тока перехода; механические повреждения (раскалывание и деформация корпуса).

Неисправности определяют с помощью измерительных приборов – тестеров или специальных приборов для измерения параметров.

Простейшую диагностику транзистора можно произвести омметром. Схема проверки показана на Рис.8.

n-p-n p-n-p Рис.8

На схеме обозначены показания омметра: Н – высокое, L – низкое сопротивление.

Необходимо отметить, что имеют место случаи, когда короткозамкнут участок цепи коллектор-эмиттер, несмотря на то, что оба перехода целы.

Транзистор с периодическим обрывом перехода может оказаться временно работоспособным при его проверке с помощью омметра. Поэтому более достоверным является контроль режимов его работы по постоянному току в различных схемах включения. Рассмотрим их подробнее:

Схема с общим эмиттером

Рис.9

Uкэ=0 – короткое замыкание между коллектором и эмиттером или транзистор находится в режиме насыщения из-за неисправных элементов, либо скрытых дефектов монтажа схемы. Режим насыщения переходов транзистора легко определить, если закоротить его базовый вывод на общий провод. При этом у работоспособного транзистора указанное напряжение станет близким к Ек из-за того, что переход база-эмиттер и база-коллектор закрываются и транзистор, как говорят, стягивается в «точку». Если этого не происходит, то транзистор неисправен.

Uк=Ек – обрыв одного из переходов или транзистор находится в режиме отсечки из-за неисправных элементов, запирающего напряжения либо скрытых дефектов монтажа. При этом в первую очередь необходимо проверить напряжение между базой и эмиттером, которое должно быть:

+(0.6…..0.7)В для n-p-n

-(0.6…..0.7)В для p-n-p транзисторов.

Если напряжение Uбэ значительно отличается от указанного,

необходимо более тщательно проверить элементы и цепи, откуда

поступает запирающее напряжение на базу.

Схема с общим коллектором

Рис.10